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20n60场效应管脚,20n60c3引脚图

20n60c场效应管参数及代换 2023-12-28 22:03 821 墨鱼
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型号:CS20N60ANH 材料:GE-N-FET锗N沟道用途:L/功率放大品牌:华晶沟道类型:N沟道种类:绝缘栅MOSFET 导电方式:增强型供应商信息公司地址深圳市福田区华强场效应管是一种具有放大作用(电压放大倍数可达30~倍)、输入阻抗高(10KΩ左右),电流小,重量轻等优点。企业名片它广泛应用于各种电子整机电路中作晶体

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20n60场效应管参数:20Nm0:正温度系数(负温度系数为-0.1),放大倍数=1.15×10-6/°C,输入电阻=10KΩ。企业名片20Nm1:正温度系数(负温度系数为-0.2),放大倍数=1.16×10-6/引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管芯片尺寸:MIL 漏电流:恢复时间:5ns 芯片材质:封装尺寸:如图特性:高压MOS管、N沟道MOS管工作结温:55℃~150℃ ASE20N60场效应管ASE20N60的电性

20N60封装体积:封装:TO-220 总长度:28.57mm 本体长度:15.87mm 宽度:10.66mm 高度:5.0mm 脚间距:2.54mm 20N60特征:低固有电容。出色的开关特性。扩展安全操作区域。无与伦比的栅型号:FCP20N60 封装外形:LLCC/无引线陶瓷片载用途:L/功率放大供应商信息向先生地址:中国广东深圳华强电子世界3号楼2A439 公司主页:/xingshunjia.cn.makepolo 查

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