10n65场效应管参数,8n60c开关电源电路图

10n65场效应管参数,8n60c开关电源电路图

10N65场效应管参数如下：Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:650V Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±30V Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:10A Continuous Drain CurreCS10N65 场效应管的主要参数包括静态电流Idss、跨导gm、输出电导戈德诺夫Gd、输入电容Ciss、输出电容Coss、噪声系数Fn、功耗Pdson、集电极- 发射极反向电压Vrrm、集

＞＾＜ CS10N65是10A650V，N沟道场效应管/MOS管，封装种类挺多的，导通电阻0.85Ω…参数可以参考图中所示就目前而言，飞虹的FHP10N65型号即可跟FQPF10N65C型号参数进行对标。往下看看参数：飞虹这款FHP10N65为N沟道增强型高压功率MOS场效应管，广泛应用于各类开关电源、100W的AC-DC开关电源

ASEMI高压MOS管10N65参数：型号：10N65 漏极-源极电压(VDS):650V 栅源电压(VGS):30V 漏极电流(ID):10A 功耗(PD):65W 储存温度(Tstg):-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):0.9Ω 场效应管10N65高压mos管参数型号：SVF10N65T/F/K/S 电性参数：10A 650V 恢复时间(Trr)：561ns 导通电阻RDS(on)：典型值)=0.8Ω@VGS=10V 封装：T0-220-3L、T0-220F-3L、T0-262-

⊙＾⊙ 10N65场效应管封装系列。它的本体长度为15.87mm,加引脚长度为28.8mm,宽度为10.16mm,高度为4.7mm,脚间距为2.54mm。以上就是关于10N65-ASEMI场效应管10N65的详10N65场效应管参数|10N65(TO220)规格书资料|壹芯微产品类型场效应管产品型号10N65 极性NPN 漏源电压650V 漏极电流10A 封装TO-220,TO-220F,TO-220F1,TO-262,TO-263,TO-220F2