slc mlc tlc寿命,slc擦写次数

slc mlc tlc寿命,slc擦写次数

2、MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般，价格一般，约3000—10000次擦写寿命。3、TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LCSLC（Single-LevelCell）即1bit/cell，速度快寿命长，价格昂贵（约MLC3倍以上的价格），约10万次擦写寿命；

⊙▽⊙ MLC（Multi-LevelCell）即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一

slc理论寿命=120*100000/10=1200000天=3287.67年；mlc理论寿命=120*3000/10=36000天=98.6年；tlc理论寿命=120*500/10=6000天=16.44年；qlc理论寿命=120*150/10SLC 　MLC 　　TLC 　QLC 不总结黑片　5Xnm 3Xnm 2Xnm 　5Xnm 3Xnm 2Xnm 工业级　5Xnm 3Xnm 2Xnm 　　　写寿命次　10万10万　　1万5千3千3万　2.5千1.2千750 　1

MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢slc>mlc>tlc>qlc 量化一下就是：slc(单层存储单元)理论擦写次数10万次，mlc(双层存储单元)3000-10000次；tlc(三层存储单元)500-1000次；qlc(四层存储单元)仅仅150次，这样一个硬盘的寿命

SLC的擦写寿命约10万次。MLC:Multi-Level Cell,2bit/cell,即充电值有00、01、10、11四个，显然，MLC比SLC需要稍微多一点的访问时间，用抽屉来形容，SLC有两个抽屉，MLC有四个抽屉。MLC闪存类型上，SLC的保存期长于MLC，MLC长于TLC，TLC又长于QLC。因为闪存是靠浮删晶体管的电子电压来

TLC(Trinary-Level Cell)闪存，即3bit/cell,也是目前最流行闪存芯片，存储密度是MLC的1.5倍，成本最低，使用寿命也最短，在1000-1500次，稳定性也是三者中最差的。SLC MLC TLC规格对比它可以达到3bit/cell，数据存储成本更低，容量是SLC的3倍、MLC的1.5倍。而它的寿命也更低，单颗粒