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其中,N(Negative)是负极的意思,N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而P(Positive)是正极的意思,是加入硼取代硅,N60是肖特基二极管,额定电流:30mA;额定电压:40V; DO-35封装。其具体的电气特性参数如下表:肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势
Junction and Storage Temperature Range 温度范围:55~+150℃ 2N60场效应管/TO-220封装尺寸:2N60场效应管/TO-220F封装尺寸:2N60场效应管/TO-252封装尺寸:〈烜芯微/XXW〉专业制你这只要电流2到5安,耐压大于600伏的n道场管都可以用。很多的。场管坏了一半可不是光换就能解决的,应该还有其他毛病。查查负载。
2N60场效应管参数|2N60(TO252,TO220)规格书资料|壹芯微产品类型场效应管产品型号2N60 极性NPN 漏源电压600V 漏极电流2.0A 封装TO-220F,TO-220F1,TO-220F2,TO-220F3,TO-251,华硕PN60(i5 8250U/4GB/128GB)参数页面提供真实的华硕PN60(i5 8250U/4GB/128GB)配置、功能、规格以及性能参数信息,方便您快速高效的了解华硕PN60(i5 8250U/4GB/128GB)。
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SW2N60 02N60P 2N60 2A/600V TO220F直插N沟道MOS场效应管深圳市达科微电子科技有限公司5年月均发货速度:暂无记录广东深圳市福田区¥1.50 全新特价AP02N60P-A 批发MOS场效应FHP12N60的主要封装形式是TO-220/TO-220F,脚位排列位GDS。这款产品参数:Vgs(±V):30;VTH(V):2-4;ID(A):12;BVdss(V):600。飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产
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