50n04中文参数,FGY120T65SPD中文参数

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IPD50N04S4L-08规格参数特征描述N 通道- 增强模式通过汽车AEC 101 认证MSL1 峰值回流温度高达260°C 175°C 的工作温度环保封装(符合RoHS) 100% 经过雪崩测试IPD50N04S4L-技术参数品牌：Infineon 型号：IPD50N04S4-08 封装：N/A 批号：20+ 数量：2500 制造商：Infineon 产品种类：MOSFET RoHS：是安装风格：SMD/SMT 封装/ 箱体：TO-252-3 通道数量：

∪０∪ 其主要技术参数包括：1. 输入电压范围：4.5V至40V 2. 输出电压范围：0.8V至18V 3. 输出电流：750mA 4. 低压差：最小0.15V 5. 工作温度范围：40℃至150℃ 6. 短路保50N04场效应管，50A 40V,50N04参数资料，50N04引脚图，50N04中文资料规格书PDF 50N04 TO-252参数封装：点击查看50N04封装有TO-252/TO-220/TO-220F 50N04场效应管参数如下：极性：NPN Dr

以下是其详细技术参数：额定电压：55V - 额定电流：49A - 最大功率：94W - 静态电阻：17mΩ - 门电荷：47nC - 封装形式：TO-220AB IRFZ44N 主要应用于以下市场：电源管理：用于产品参数：品牌：CH/程华型号：CH07N04 VDS: 40V ID : 40A RDS(ON): 7mR 封装：TO-252和DFN3*3两种封装沟道：N沟道其它MOS管款式原厂供应1、MOS管CH15N100 TO-252和DFN3*3两种

IPD50N04S4-10 IPD90N04S4-03 IPD90N04S4-04 IPG20N06S2L-35 IPLU250N04S4-1R7 IPLU300N04S4-1R1 ITD50N04S4L-07 SAK-TC222L-16F133N AC SAK-TC234L-32F200F A技术参数品牌：ON 型号：NTJD4401NT1G 封装：SOT-363 批号：22+ 数量：10000 制造商：ON Semiconductor 产品种类：MOSFET RoHS:是安装风格：SMD/SMT 封装/ 箱体：SC-8

●△● IPC100N04S5-1R9参数IPC100N04S5-1R9规格书【太航半导体】MAX3232IDR、M95128-WMN6TP、VNH7040AYTR、STM32G070CBT6、VIPER16LDTR、STMPE811QTR、FM25CL64B-GTR、AUIRS2301STR、TLP1型号：50N04丝印：VBE1405品牌：VBsemi详细参数说明： 类型：N沟道MOSFET- 最大耐压：40V- 最大电流：85A- 导通电阻：4mΩ @10V, 5mΩ @4.5V- 门源电压：20Vgs (±V)- 门阈电压：1.85Vth-