24n50场效应管参数,40n50场效应管参数

24n50场效应管参数,40n50场效应管参数

常用场效应管(25N120等)参数及代换FGA25N120AND (IGBT) 1200V/25A//TO3P (电磁炉用) FQA27N25 (MOSFET) 250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 (MOSFET) 250V/40A/280W/0.051Ω/TO24N50场效应管封装系列。它的本体长度为21.3mm,加引脚长度为41.55mm,宽度为16.25mm,高度为5.05mm,脚间距为5.7mm。24N50具有高开关速度、低饱和电压、高输入阻

(-__-)b 24N50是一款N沟道型MOS管，具有低导通电阻、高开关速度和良好的耐压能力。它的漏极电流较小，能够在高温环境下工作，适用于各种要求高功率输出的场合。24N50场效应管的工作原理24n50场效应管主要参数产品型号：KIA24N50 工作方式：24A/500V 漏源电压：500V 栅源电压：±30V 漏电流连续：24A 脉冲漏极电流：96A 雪崩能量：1150mJ 耗散功率：290W 热电阻：40℃/W 漏源

今天飞虹电子要科普的是一款24A、500V的低电流、高压MOS管，24N50型号场效应管参数。先来看看这一款24A、500V MOS管24N50在实际的电路应用中适用于什么样的场景呢？它作为一FHP24N50的主要封装形式是TO-3PN,脚位排列位GDS。这款场效应管参数：Vgs(±V):25;VTH(V):3-5;ID(A):24;BVdss(V):500。能够代替25N50使用在1200W逆变器后级电路

ASEMI的MOS管24N50参数：型号：24N50 漏源电压(VDSS):500V 连续漏极电流(ID):24A 栅源电压(VGSS):±30V 功耗(PD):290W 漏源漏电流(IDSS):50uA 栅极阈值电压(VGS(TH)):4V 静态漏源导FHP24N50的主要封装形式是TO-3PN,脚位排列位GDS。这款产品参数：Vgs(±V):25;VTH(V):3-5;ID(A):24;BVdss(V):500。飞虹电子的MOS管已经常用于智能家居、新能源电子领域：如智能音响、