5n60c参数,15n60c3参数及代换

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5N60C是N沟道MOS场效应管，参数为：1、漏极电流4.5A；2、D-S耐压600V。常用于开关电源中作开关管。电动车充电器也是5N60C是N沟道MOS场效应管，漏极电流4.5A,脉冲电流允许18A,D-S耐压600V, 功耗：33W,工作温度范围：55°C to +150°C,封装类型：TO-220F,功率，Pd:33W,封装类型：TO-

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型号：5N60C 类型：N沟道场效应管漏极电流(ID):5 A 漏极和源极电压(VDSS):600 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):2Ω 总耗散功率(Ptot):120 W 封装：TO-220AB 更多N沟道场效应管SVFQP5N60C 中文资料规格参数参数列表搜索代替器件技术参数针脚数3 漏源极电阻2Ω 耗散功率100 W 阈值电压4 V 漏源极电压(Vds) 600 V 上升时间42 ns 输入电容(Ciss) 515pF @25V(Vds)

5N60C是N沟道MOS场效应管，参数为：1、漏极电流4.5A; 2、D-S耐压600V。常用于开关电源中作开关管。电动车充电器也是用开关电源的，该管估计也是充电器的开关管矽瑞微科-MOS-CR12N65pdf,场效应管CR12N65的规格书，介绍了包含特点、应用、参数、特性尺寸、机械封装等维度的信息。AC6905C省MOS管软开关机方案标准原理图浏览：107 杰理AC6905C省

5n60c参数：电流5A,电压600v,可用10n60,或者5n70代换。00分享举报您可能感兴趣的内容广告场效应管p75nf75参数台湾微碧半导体全国知名供应商400-655-8788 场效首页»壹芯微产品中心»三极管»场效应管»场效应MOS管FQP5N60C参数PD最大耗散功率：125WID最大漏源电流：5AV(BR)DSS漏源击穿电压：600VRDS(ON)Ω内阻：1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流