7n80场效应管参数,13007测量好坏图解

7n80场效应管参数,13007测量好坏图解

7N80详细参数：型号：ASEMI场效应管7N80 漏源电压(VDS):800V 栅源电压(VGS):±30V 漏极电流-持续(TC=25°C)(ID):7A 漏极脉冲电流(IDM):28A 耗散功率(TC=25°C)(PD):140W 雪崩电流(IA7N80参数描述型号：7N80 封装：TO-220 特性：高效MOS管电性参数：7A 800V 连续二极管正向电流(IS):7A 脉冲二极管正向电流(ISM):28A 漏源电压(VDSS):800V 栅源电压(VGS):±30V 导通电

7N80是7A 800V。小的代大的可能不行，要看你实际用到多少电压了。实际电压小的话也还可以代一下，不过可靠性不好，最好是大牌的管子。电视机电源都是单端的反激电7n80场效应管参数型号概述，此功率MOSFET生产是使用SL先进的平面条纹DMOS技术，这个先进的技术是特别定制的，以减少通态电阻，提供优越的开关性能，在雪崩和转换方式下能承受高能脉冲器件，它非常适合高

(=｀′=) 常用场效应管参数大全型号材料管脚用途参数3DJ6NJ低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS●【7N80】代表MOS场效应管●【7】代表其正向电流为7A ●【80】代表其反向耐压为800V ●【】代表其封装是TO-220AB半塑封15.00mm 本体宽度：10.16mm 13.60mm 定位孔高度：1

7N80详细参数：型号：ASEMI场效应管7N80 漏源电压(VDS):800V 栅源电压(VGS):±30V 漏极电流-持续(TC=25°C)(ID):7A 漏极脉冲电流(IDM):28A 耗散功率(TC=25°C)(PD):140W 雪崩电流(I7N80场效应管参数如下：极性：NPN Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:800V Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±30V Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:7A Continuous Dra