NMOS 做输出管的LDO,LDO中使用PMOS的原因

双栅场效应管 2024-01-08 17:29 768 墨鱼

双栅场效应管

NMOS 做输出管的LDO,LDO中使用PMOS的原因

PMOS管的LDO,输出电压增大，意味着输入电压也需要增大，比如：如果输出1.8V,输入电压最小1.8V+Dropout,Vsg=1.8V+Dropout 如果输出2.8V,输入电压最小2.8V+Dropout新的LDO线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30μV,PSRR为60dB,静态电流6μA,电压降只有100mV。LDO线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFE

˙▽˙ NMOS，NPN压差太大，除非有charge pump从上图我们可以看到从功率型的晶体管变成了N 型mos 管，结构没有变。3.2 NMOSLDO稳压器中的功率损失的简单模型由上图可以看出在整个线路里面对输入于输出的压差构成限制的不在是

当然也可以引入charge-pump提高误差放大器的电源电压来解决但是提高了复杂度和成本，但是NMOS调整管的PSRR(电源抑制比)比PMOS好。3、LDO的参数：Refer RichTek:LDO selection guidNMOS LDO NMOS 架构如图所示，反馈回路仍然控制RDS。但是，随着VIN 接近VOUT(nom),误差放大器将增大VGS 以降低RDS,从而保持稳压。在特定的点，VGS 无法再升高

过年，没事做，就把脑子里曾经构想的N型MOS管LDO电路做了仿真。此单管NMOS LDO电流可大于100A，电压下面这幅简化的原理图中示出了经由NMOS 传输元件留至负载的电流。这里所使用的栅极至源极电压(VGS)用于说明原理。NMOS LDO 它同样是采用一对电阻来采样输出电压，把它送入误差放大

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