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在后极逆变电路的电路应用中,我们想提升产品效率、稳定性和可靠性时,除选用FGH60N60SMD型号外,还可以用FHA60T65A型号参数来代换。首页发现业务合作创作者服务新闻中心关于我们社会责任加入我们中文1/5 一起学电工关注常见电工电路接线以及实物接线图常见电工电路接线以及实物接线图#我拍到的治愈画
FGH60N60SFD FGH40T100SMD FGA60N65SMD FGA40N65SMD FGH75T65SQD FGH75T65SHD 未来IGBT的需求:IGBT行业市场需求及IGBT芯片技术未来发展趋势是显而易见的,由于IGBT芯片技术发展具有场截止IGBT单管60A600V FGH60N60SMD 采用新型场截止IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。ONsemi安森美IGBT单管系列:FG
编辑:ll ASEMI代理FGH60N60SFD安森美FGH60N60SFD车规级IGBT 型号:FGH60N60SFD 品牌:ON / 安森美封装:TO-247 最大漏源电流:60A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)FGH60N60,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。FGH60N60具体参数为:正向电流:60A,反向耐压:600V,反向恢复时间:5ns,封装:TO-247
型号:FGH60N60SMD 类型:绝缘栅双极晶体管(IGBT) 反向恢复时间(trr):47 ns 耗散功率(PD):378 W 集电极电流(IC):【集电极温度(Tc)=25 ℃】120 A 集电极最大允许电流(ICM):180 AON Semiconductor FGH60N60SMD N沟道IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚TO-247AB封装查看详情TO-247-3 4周在产2013年¥50.347 数据手册(10) 规格参数更多代
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