2sk246场效应管参数,lm393引脚功能及参数

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T4、T5直接用数字万用表p挡测试即可。T1、T2的β值测试用图2的装置进行。由于场效应管的噪声系数不随I。的增大而增加。大一点的工作电流可增加驱动力，所以Tl、12的工作电流就定在2MOS场效应2SK2462 开关N沟道功率MOS FET 工业用描述该2SK2462是N沟道MOS场效应晶体管DE- 签于大电流开关应用。包装尺寸(单位：毫米) 10.0 ±0.3 4.5 ±0.2 3.2 ±0.2 2.7 ±0.2

场效应管输入前级放大器：该TW-J26SN1前级放大器的输入端采用单端1型场效应管做输入级，单管输入可获对比差分输入更低的噪音，更大的动态范围，接近电子管的输入特性。该输入场效应管2SK系列场效应管参数，型号厂家用途构造沟道方式漏源极电压(V)区分漏极电流(A)最大功耗(W)封装形式2SK11东芝DC/LF A, ChopJND-20GDS10m100m4-22SK12东芝DC/LF

FGH60N60SMD FGH60N60UFD TO-247 全新直插场效应管¥ 4.48 7 原装AT24C02C-PUM DIP-8 24C02 存储器全新直插¥ 1.4 5 全新直插SN74LS138N HD74LS138P 74LS138 DIP-16 译码器复工器¥ 02SK246 摘要：【用途】直接耦合放大/直流场效应管【性能参数】N沟50V 10mA 300mW *K 【互换兼容】2N3822 【用途】直接耦合放大/直流场效应管【性能参

型号：2SK246 类型：N沟道场效应管(结型) 耗散功率(PD):0.3 W 漏极电流(ID):【环境温度(Ta)=25 ℃】0.014 A 漏极和源极电压(VDSS):50 V 备注：与2SJ103构成对管封装：TO-92 更多2SK246晶体管最大栅极电流为10mA,最大漏极功耗为300mW,最大存储温度为-55°C至125°C。需要注意，最大额定值是晶体管的最大极限，但不建议在其最大极限上使用任何电子元件。使用任何组