irf9530n引脚定义,irf9530场效应管参数

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断电，用500型指针表1K档测量12v负载电路，测到一只功率管IRF9530N的三个电极对地阻值都是0欧姆，拆下如果工作频率大于fT，电路将不正常工作。fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流

MOS管IRF9530n IRF9530N HEXFET ® Power MOSFET PD - 91482C Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve 型号：IRF9530N 类型：P沟道场效应管耗散功率(PD):79 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】14 A 漏极和源极电压(VDSS):100 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.2 Ω 封装：TO-2

品牌：IRF[International Rectifier] 封装：引脚：功能介紹中文： 功能介紹英文：Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) 品牌：International Rectifier 封装：IRF9530NPBF品牌厂家：Infineon(英飞凌),IRF9530NPBF渠道分销商：13家，现货库存数量：2417 PCS,IRF9530NPBF价格参考：¥1.566元。Infineon(英飞凌) IRF9530NPBF参数(REEL P-CH 100V 14A

芯片信息型号封装在线定购IRF9530N(查看)TO-220AB IRF9530NL(查看)TO-262 IRF9530NS(查看)TO-263 引脚布局(点击图片看大图) 技术资料——IRF9530 PDF技术资料N/A 21+ ☆原装正品可开13点增值税发票☆ IRF9530NSTRLPBF 飞弛宏元器件328 IR TO-263 17+ 深圳有现货库存现货有单可议IRF9530NSTRLPBF 深圳市柯氏贸易有限公司82500 Infineon T