27N10场效应管参数,40n20场效应管参数

27N10场效应管参数,40n20场效应管参数

?ω? 场效应管参数表.doc,场效应管参数表常用场效应管参数表型号厂家方式v111(V) xing (A) pdpch(W) IRF48 IR N 60 50 190 IRF024 IR N 60 17 60 IRF034 IR N 6常用场效应管25N120等参数及代换FGA25N120ANDIGBT1200V25ATO3P电磁炉用FQA27N25MOSFET250V27ATO3PIRFP254FQA40N25FQA55N25FQA18N50V2MOSFETMOS

常用场效应管参数大全型号材料管脚用途参数3DJ6NJ低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS场效应管参数表常用场效应管参数表

型　号厂　家方　式v111(V)xing(A)pdpch(W)

IRF48IRN6050190

IRF024IRN601760

IRF034IRN603090

IRF035IRN602590

IRF044IRN6030150

IRF045

型号材料管脚用途参数3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMVDS 100V RDS(on) 3.3mΩ ID 120A CRSS037N10N(华润微)-应用程序：电机控制和驱动电池管理UPS(不可互换电源) 100%雪崩测试深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管

常用场效应管参数大全型号材料管脚用途参数3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 P10N10 TO-252参数封装：点击查看10N10封装有TO-252/TO-220/TO-220F 10N10场效应管参数如下：极性：NPN Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:100V Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±2