场效应管4614参数,22P04场效应管参数

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4614 材质硅类型半导体产地CHNIA 沟道N+P管VDDS N:40V/P:-40V VGS ±20V ID N-MOS:8A/P-MOS:-7A RDSON N:22mΩ/P:45mΩ 封装PACKAGE SOP-8 系列场效应管/MOS管首页»壹芯微产品中心»三极管»贴片MOS管»MOS管AO4614参数PD最大耗散功率：2WID最大漏源电流：6AV(BR)DSS漏源击穿电压：40VRDS(ON)Ω内阻：31MΩVRDS(ON)ld通态电流：6AVRDS(ON

场效应管4668参数

12:mos场效应管参数AOS公司NCE1205 理想情况下，变压器是不储存能量的(反激“变压器”其实是耦合电感)。不过实际上变压器还是储存了少量能量在线圈和磁芯的气隙形成的磁场区域，这AO4614场效应管参数具体如下：极性：NMOS+PMOS Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:40V Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:7.2A Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±20V

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⊙０⊙ 技术参数品牌：AOS 型号：AO4614B 批号：2019 封装：SOP-8 数量：2100000 QQ: 1393997077 描述：MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC 对无铅要求的达标情况/对限制属性参数值商品目录场效应管(MOSFET) 类型- 漏源电压(Vdss)- 连续漏极电流(Id)- 功率(Pd)- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)- 阈值电压(Vgs(th)@Id)- 栅极电荷(Qg@Vgs)- 输入电容(C

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●＾● 可以代替AO4614B SOP-8 这是一款性价比高的MOS管NCE代理销售NCE4614 NCE4614原装现货，NCE4614优势热销NCE4614泛运用于电源，控制板，计算机，家电，通讯设备等AO4614的参数：VDS=40V（N），VDS=-40V（P）；电流为6A和-5A 如果你电路中的电压没有接近30V，比如12V，电流都在这两个元件的范围内，就相互都可替代。如果你电路