8n60场效应管电路图,场效应管前级电路图

场效应管8n60c参数 2023-12-23 14:18 245 墨鱼

场效应管8n60c参数

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AOS美国万代半导体公司代理商|泰德兰官网|MOS管电路工作原理电子新闻摘要：以NMOS晶体管为例，阐明MOS的工作原理特征，先讨论将栅极与源极短路、接地(VGS=OV)时的状况。如图1.9所示的8n60场效应管的参数：8N60是一种常用的MOSFET器件，8N60具有高放大倍数、低功耗、耐高温等优点；其工作频率可达kHz以上，温度范围宽为-40°C~+140°C。1、输入阻抗：8n60的典型值

8n60场效应管参数8n60是大功率高耐压的场效应管8n60基本参数：1、晶体管极性：N,2、漏极电流，Id最大值：7.5A,3、电压，Vds最大：600V,4、开态电阻，Rds( on ):1.2ohm,5、电压@ R8N60场效应管/TO-220封装尺寸：8N60场效应管/TO-220F封装尺寸：8N60场效应管/TO-252封装尺寸：〈烜芯微/XXW〉专业制造二极管，三极管，MOS管，桥堆等，20年，工厂直销省20%,上万家电路电

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