8n60参数,8N60f好坏

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8n60基本参数：1、晶体管极性：n 2、漏极电流，id最大值：7.5a 3、电压，vds最大：600v 4、开态电阻，rds(on):1.2ohm 5、电压@ rds测量：10v 6、电压，vgs最高：30v 7、功耗：48w 8n60场效应管的参数：8N60是一种常用的MOSFET器件，8N60具有高放大倍数、低功耗、耐高温等优点；其工作频率可达kHz以上，温度范围宽为-40°C~+140°C。1、输入阻抗：8n60的典型值

8n60场效应管参数8n60基本参数：1、晶体管极性：N2、漏极电流，Id最大值：7.5A3、电压，Vds最大：600V4、开态电阻，Rds(on):1.2ohm5、电压@ Rds测量：10V6、电压，8n60的参数主要有VDs(漏极对源极的电压)、VGS(栅极对源极的电压)、ID(漏极电流)、TJ(结温)等基本参数，还有其它参数，如测试条件、开关电流最大值、最大模拟电流、温度特性、输

WFF8N60(8n60)参数8N60中文资料功能介紹中文： 功能介紹英文：isc N-Channel Mosfet Transistor 品牌：Inchange Semiconductor Company Limited 封装：引脚：Datasheet PDF 功能介紹中文：

●▂● 8n60基本参数（1）晶体管极性：N （2）漏极电流，Id最大值：7.5A （3）电压，Vds最大：600V （4）开态电阻，Rds(on):18N60是大功率、高耐压的场效应管，额定电流8A,耐压600V。该产品广泛适用于AC-DC开关电源、AC-DC电源转换器、高压H桥PMW马达驱动。飞虹8N60产品主要参数产品型号：8N60 漏源极电压：

型号：8N60 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):155 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】8 A 漏极和源极电压(VDSS):600 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):1Ω 封装：TO-220 更多Junction and Storage Temperature Range 温度范围：55~+150℃ 8N60场效应管/TO-220封装尺寸：8N60场效应管/TO-220F封装尺寸：8N60场效应管/TO-252封装尺寸：〈烜芯微/XXW〉专业制