5n10场效应管参数,crst015n10n场效应管参数

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5N10最新版100V5A场效应管nmos管.pdf,低Vth、低节电容开关损耗小低Vth、低节电容开关损耗小HC160N10LS 深圳市惠新晨电子有限公司100V-5A N-Channel Advanced参数：100V5A(5N10) 内阻：145mR(VGS=10V) 结电容：405pF 类型：沟槽型NMOS 开启电压：1.6V 封装：SOT23-3 【惠海MOS管常规封装】SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等【惠海MOS管常规型号

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5N10场效应管参数，5N10参数中文资料5N10场效应管是一种常用的高功率场效应管，也被称为N沟道MOS管。在电子设备中它扮演着很重要的角色，比如在电力管理和调节、音频放大器、发光二极型号：HC085N10L 参数：100V 15A 类型：N沟道场效应管内阻71mR 低结电容436pF 封装：贴片(SOT89-3) 低开启电压1.7V 广泛用于电动车照明、汽车照明、汽车大灯、工

二、irfp250n鍦烘晥搴旂鍙傛暟

HC3600M参数：30V8A ,类型：N沟道场效应管，内阻22mR,低结电容445pF,封装：贴片(SOT23-3),低开启电压1.5V,低结电容，低内阻，低开启电压，温升低，转换效率高，过电流场效应管参数手册场效应管MTP系列型号沟道MTP1N50 N MTP2N18 N MTP2N45 N MTP2N50 N MTP2N85 N MTP2N90 N MTP3N60 N MTP3N80 N MTP3N90 N MTP3N100N MTP4N50 N MTP4N60N

三、irfz44n鍦烘晥搴旂鍙傛暟

5N10/SOT-89封装参数：点击查看5N10场效应管参数具体如下：极性：NPN ESD Protected 防静电保护Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:100V Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±25V Co5n10场效应管是一种特定型号的N沟道MOSFET,具有特定的参数。了解和理解这些参数对于正确选择和使用FET是非常重要的。各个参数之间相互影响，决定了FET的性能特点。通过合理选