2sk2967场效应管参数,2sk296

2sk2967场效应管参数,2sk296

∪０∪ 型号：2SK2967 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):150 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】30 A 漏极和源极电压(VDSS):250 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.068 Ω 更多N沟K725 15A 50

2SK2967 422Kb/6PDC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications 2SK2967 1Mb/73PBipolar Small-Signal Transistors Inchange Semiconductor 2SK2967 323Kb2SK2967 功能描述MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN RoHS 否类别分离式半导体产品>> FET - 单系列- 标准包装1,000 系列MESH OVERLAY™ FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET

常用2SK 类场效应管参数表作者：瑞达文章来源：本站整理点击数：46 更新时间：2009-9-17 23:46:54 型号反压V 电流A 功率W 类型型号反压V 电流A 功率W 类型2SK413 14求购2022夏K2967 大功率三极管2SK2967原装原字进口拆机MOS场效应管250V 30A招标增强型n沟道拆机原装大功率询价单编号：ZGC6073***841 询价单有效期：至2022*** 入驻工厂可见联系人及电话：吕女士

2SK2967规格信息：标准包装50 类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列- FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)250V 电流- 连续漏极(Id) 0.5-1mA0.08W场效应音频/高频放大管10mA80mW通用型场效应管10A100W15A120W20A130W10mA200mW5A150W5A150W10mA200mW20A150W20A150W15A150W0.5-1.5mA0.25W场效应音频/高频放大管

品牌/型号：TOSHIBA/东芝/2SK2967 导电方式：增强型沟道类型：N沟道型号：2SK2967 品牌：TOSHIBA/东芝用途：L/功率放大封装外形：CER-DIP/陶瓷直插价格以报价为500 0.4 15 TO-3P(N) 2SK2698 A Toshiba 2SK2699 600 0.65 12 TO-3P(N) 2SK2699 A Toshiba ' href='diode/863_17.htm'>上一页2SK POWER MOSFET功率场效应