11N90参数及代换,iRFp254N代换

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(MOSFET)800V/13A/300W/0.Q/TO3PFQA5N90(MOSFET)900V/5.8A/185W/2.3Q/TO3PFQA9N90C(MOSFET)900V/8.6A/240W/1.3Q/TO3P(电磁炉用)FQA11N90CFFA30U20DNFGA25N120A就是我们这量少而且没有配件11N90E 场效应MOS管基本参数11A 900V 285W

＋▽＋ SSH11N90:金属氧化物普通场效应管.参数：N沟、900V、11A、280W。代换：12N60C。本回答由提问者推荐举报| 评论1 1 高压包查找大全采纳率：59% 擅长：家电为型号：11N90 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):160 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】11 A 漏极和源极电压(VDSS):900 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):1.1 Ω 封装：TO-220

Ω/TO3P FQA5N90 (MOSFET) 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3P FQA9N90C (MOSFET) 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3P FQA11N90C (MOSFET) 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3P FFA30UFQA11N90C 中文资料规格参数参数列表搜索代替器件技术参数耗散功率300W (Tc) 漏源极电压(Vds) 900 V 上升时间130 ns 输入电容(Ciss) 3290pF @25V(Vds)

1、常用场效应管参数及替代FGA25N120AND (IGBT )1200V/25A/TO3P(电磁炉用)FQA27N25(MOSFET )250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25(MOSFET )250V/40A/280W/0.051 Q /TO3P IRFP264FQA55N25(MΩ/TO3P FQA5N90 (MOSFET) 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3P FQA9N90C (MOSFET) 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3P FQA11N90C (MOSFET) 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3P FFA30U20DN (快恢复二