G013N04场效应管参数,g067n07场效应管参数

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技术参数品牌：ON 型号：NTR4003NT3G 封装：SOT-23-3 批号：21+ 数量：40000 制造商：ON Semiconductor 产品种类：MOSFET RoHS：是安装风格：SMD/SMT 封装/ 箱体：SOT-23-3 通道需购2021夏MOS(场效应管) G13N04 原装全新可拍可配bom 可开票招标原装询价单编号：ZGC6387***201 询价单有效期：至2022***入驻工厂可见联系人及电话：吕女士***入驻工厂可见订单备注：**入驻

＋▂＋ 常用的N沟道场效应管及其参数07N03L 30V 80A 150W N 10N20 10A 200V N沟道MOS管10N60 10A 600V 11N80 11A 800V 156W 11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N沟道15N03NP15N10G 15A/100V 内阻82毫欧N沟道场效应管场效应管AO4611一站现货特卖IRFPC60LC MOS管IR品牌VISHAY 马可会员深圳市华富强科技有限公司身份验证：注册资本：850万元企业

单N 特性低内阻符合RoHS标准100% DVDS测试100% UIL测试优势抗冲击能力强稳定的工艺能力应用汽车应急电源、锂电保护板类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：30V 工作电流：60A 最大允许功耗：

什么叫场效应管搜索采购2022春原装HYG013N04NA1B6 N沟道40V 354A场效应MOS管封装TO-263-6招商原装n沟道增强型询价单编号：ZGC6267***232 询价单有效期：至2022***入驻工厂可见联系人及电话：苗基本参数：电子零件型号：IAUC120N04S6N013ATMA1 原始制造厂商：英飞凌(Infineon) 技术标准参数：IAUC120N04S6N013ATMA1 产品应用分类：晶体管- FET,MOSFET - 单个点击此处查询IAUC120N04S6N013ATMA