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产品型号：FQPF12N60C,生产商：ON,简要描述：ON场效应管LED电源MOS管，由深圳市华谛诚电子有限公司代理销售FQPF12N60C库存，采购FQPF12N60C现货供应商，替换FQPF12N60C代替品，免费查看FQPF12N60C.pdf,下管，参数：硅、600V、12A、51W、RDS(on)=0.65Ω、带阻尼。所以12N60C是可以代换但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，其中，N是负极的意思。N 找2n60场效

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型号：FQPF12N60C 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):51 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】12 A 漏极和源极电压(VDSS):600 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.65 Ω 封装：TJunction and Storage Temperature Range 温度范围：55~+150℃ 12N60场效应管/TO-220封装尺寸：12N60场效应管/TO-220F封装尺寸：12N60场效应管/TO-252封装尺寸：〈烜芯微/XXW〉专业

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600V,N沟道直插场效应管(MOSFET):KF12N60 KEC TO-220F DIP/MOS N场600V 12A 0.6Ω KF10N60 TO-220F DIP/MOS N场600V 10A 0.73ΩSTF23NM60N ST TO-220F 11NPB DIP/MOS N场600V 19FDPF12N60NZ参数：12A,600V,N沟道场效应管FDPF12N60NZ N 沟道UniFETTM II MOSFET 600V, 12A, 650mΩ UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体的高压MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和DMOS 技术。该

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2N60是功率场效应管参数是：硅、500V、2A、55W、RDS（on）≤5．1Ω、带阻尼；12N60C也是功率场效应管，参数：硅、60仙童(FAIRCHILD) FQP12N60C / FQPF12N60C 600V的N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),采用飞兆半导体先进的DMOS技术，最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关