11N501场效应管参数代换,d5n50场效应管参数

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1、常用场效应管参数及替代FQA27N25(MOSFET )250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25(MOSFET )250V/40A/280W/0.051 Q /TO3P IRFP264FQA55N25(MOSFET )250V/55A/310W/0.03 Q /TO3PFQA18N50V2常用大功率场效应管主要参数与代换型号速查表说明：1.型号后面有“P)”者为P沟道场效应管，型号后面有“※”号者为NPN型IGBT管，“※”号后有“P)”者为PNP型IGBT管。2.表

FHP740的主要封装形式是TO-220/TO-220F ,脚位排列位GDS。这款场效应管参数：Vgs(±V):30;VTH(V):2-4;ID(A):10;BVdss(V):400。更多详情可百度“飞虹MOS管厂家”。​​​​FB11N50A-11A,500V,170W。可以用10N60代换，K2645不行只有50W。其他代换型号有2SK557，2SK788，2SK1563，IRF450，MTH14N50。

常用场效应管参数及代换.doc,常用场效应管参数及替代FGA25N120AND (IGBT) 1200V/25A//TO3P (电磁炉用) FQA27N25 (MOSFET) 250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 (M常用场效应管参数及替代FGA25N120AND (IGBT) 1200V/25A//TO3P (电磁炉用) FQA27N25 (MOSFET) 250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 (MOSFET) 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264

＞▂＜ 1、常用场效应管参数及替代FGA25N120AND (IGBT )1200V/25A/TO3P(电磁炉用)FQA27N25(MOSFET )250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25(MOSFET )250V/40A/280W/0.051 Q /TO该视频中所展示的核心参数如下：场效应管的应用，同时还为您解答了场效应管的应用行业知识并提供优质货源。2023-09-11 11n501场效应管参数代换- 热门商品专区查看详情￥1.00/

10N50场效应管参数如下：极性：NPN Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:500V Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±30V Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:10A Continuous 常用场效应管参数及代换常用场效应管参数及替代FQA27N25(MOSFET)250V/27A/TO3PIRFP254FQA40N25(MOSFET)250V/40A/280W/0.051Q/TO3PIRFP264FQA55N25(MOSFET)250V