场效应管M3006D参数,04n08n场效应管参数

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1、可以用M3006D。2、PD最大耗散功率：53W ID最大漏源电流：80A V(BR)DSS漏源击穿电压：30V RDS(ON)Ω内阻：0.0055Ω VRDS(ON)ld通态电流：30A VRDS(ON)栅极电压：11、可以用M3006D。2、PD最大耗散功率：53W ID最大漏源电流：80A V(BR)DSS漏源击穿电压：30V RDS(ON)Ω内阻：0.0055Ω VRDS(ON)ld通态电流：30A VRDS(ON)栅极电压：10V VGS(th)V开启电压

场效应MOS管QM3006D参数产品简介PD最大耗散功率：53WID最大漏源电流：80AV(BR)DSS漏源击穿电压：30VRDS(ON)Ω内阻：0.0055ΩVRDS(ON)ld通态电流：30AVRDS(ON)栅极电压：10VVGS(th)全新进口原装沟道M3006DM3006M3004DTO252贴片MOS场效应管全新进口原装N沟道M3006D M3006 M3004D TO252贴片/MOS场效应管价格：¥0.4 券后：¥0.40 发货地：广东汕头¥0.4元

⊙△⊙ QM3006D 台湾微碧TO-252封装VBsemi MOS管大功率场效应管技术参数品牌：VBsemi台湾微碧型号：QM3006D 数量：18985 批号：22+ 封装：TO-252 可售卖地区：全国品型号QM3006D 价格说明价格：商品在爱采购的展示标价，具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化，也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化，如用户与商家线下达成协议

m3004d和m3006d参数：PD最大耗散功率：53WID最大漏源电流：80AV(BR)DSS漏源击穿电压：30VRDS(ON)Ω内阻：0.0055ΩVRDS(ON)ld通态电流：30AVRDS(ON)栅极电压：10VVG型号：QM3006D 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):53 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】80 A 漏极和源极电压(VDSS):30 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.0055 Ω 封装：TO-