cs12n60场效应管参数,12n60场效应管参数规格书

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全新CS12N60CS12N60FMOS效应沟道12A600V直插TO-220F场效应管全新CS12N60 CS12N60F MOS场效应管N沟道12A 600V 直插TO-220F 价格：¥2.2 券后：¥2.20 包邮发货地：广东深圳场效应管参数高压MOSFET场效应管型号HM1N60HM2N60 HM4N60 HM5N60HM7N60HM8N60HM10N60HM12N60HM5N50 沟道N沟道N沟道N沟道N沟道N沟道N沟道N沟道N沟道VDS(Max)600V600V 600

FHP12N60的主要封装形式是TO-220、TO-220F,脚位排列位GDS。这款12N60场效应管产品具体参数：Vgs(±V):30;VTH(V):2-4;ID(A):12;BVdss(V):600。RDS (on) = 0.8mΩ(typ)@V GS =10四、12N60H参数范围产品型号：KIA12N60H 工作方式：12A/600V 漏源电压：600V 栅源电压：±30A 漏电流连续：12A 脉冲漏极电流：48A 雪崩能量：865mJ 耗散功率：231W 热电阻：62.5℃/V 漏源击

Junction and Storage Temperature Range 温度范围：55~+150℃ 12N60场效应管/TO-220封装尺寸：12N60场效应管/TO-220F封装尺寸：12N60场效应管/TO-252封装尺寸：〈烜芯微/XXW〉专业NP15N10G 15A/100V 内阻82毫欧N沟道场效应管场效应管AO4611一站现货特卖马可会员深圳市杜因特电子有限公司身份验证：注册资本：100万元企业类型：公司地区：中国广东深圳

12N60场效应管12N60的电性参数：最大漏源电流12A;漏源击穿电压600V 特征：低固有电容。出色的开关特性。扩展安全操作区域。无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC(典型值)。BVDSS=600V,Id型号：12N60 类型：N沟道场效应管漏极电流(ID):12 A 漏极和源极电压(VDSS):600 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.8 Ω 封装：TO-220/TO-262/TO-3PTO-220TO-262TO-3P 更多N沟道