刷新周期和存取周期,存取周期和存取时间的区别

刷新周期和存取周期,存取周期和存取时间的区别

​ 刷新周期(存取周期):刷新一行所用的时间。​ 刷新周期数：刷新一块芯片所需的周期数，由芯片矩阵的行数决定。刷新周期的安排方式：(1)集中刷新(2)分散刷新①刷新周期为2ms ②存取周期为0.5μs,即刷新1行的时间为0.5μs(刷新时间是等于存取周期的。因为刷新的过程与一次存取相同，只是没有在总线上输入输出。存取周期>

ゃōゃ 问1:刷新需要进行读和写操作，占用一个存取周期。那为什么一个读操作的周期也是一个存取周期？答1: 一个读操作的周期也被称为一个存取周期，是因为在读取数据时，1)集中刷新在刷新周期内，取一部分存储周期作为集中刷新的时间，这段时间是不能进行读写操作的，因此也称之为死时间，或者访存死区。2)分散刷新将存储周期的

所以刷新与存取不能并行。同理，刷新操作之间也不能并行，意味着一次只能刷一行。1).集中刷新指在规定的一个刷新周期内，对所有存储单元集中一段时间逐行进行刷新间隔：两次刷新的起始时间差(某行从第一次刷新到第二次刷新的等待时间) 行刷新间隔：两行刷新的起始时间差刷新时间：规定的一个周期内刷新的总时间刷新一行的时间是等于存取周期

＞０＜ 一般来说，刷新一次的时间等于存取周期。而分散刷新就是在每个存储周期后刷新一行，这样假设原本0.5微秒的芯片存取周期，换成系统存取周期就变成1微秒了。由于分散刷新每访问一次就刷② 存取周期(Tm ):存取周期又称为读写周期或访问周期。它是指存储器进行一次完整的读写操作所需的全部时间，即连续两次独立地访问存储器操作(读或写操作)之间所