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5N60场效应管/TO-220封装尺寸:5N60场效应管/TO-220F封装尺寸:5N60场效应管/TO-252封装尺寸:〈烜芯微/XXW〉专业制造二极管,三极管,MOS管,桥堆等,20年,工厂直销省20%,上万家电路电5N60 4.5A600V场效应管参数产品编号:KIA 5N60 系列名称:MOSFET 沟道:N沟道耗散功率(pd):100 漏源反向电压(Vds):600 栅源反向电压(Vgs):30 漏极电流(连续)(id):5 最高结温(Tj),℃:1
5N60为场效应管,而且是属于N沟道场效应三极管,参数为5A/600V,这个场效应管子是最容易购到的,可以用6N60\8N60进行这款15N60场效应管产品具体参数:Vgs(±V):30;VTH(V):3-5;ID(A):16;BVdss(V):600
(1) 额定电压:600V。2) 额定电流:5A。3) 开启电阻:0.9Ω。4) 关断电阻:3Ω。5) 静态漏电流:360uA。6) 输出电容:30pF。其中,开启电阻指的是MOS管导5N60 产品资料5N60 产品资料
5N60C是N沟道MOS场效应管,漏极电流为4、5A,脉冲电流允许18A,D-S耐压600V。功耗:33W,工作温度范围:全国服务热线:13534146615 首页»壹芯微产品中心»三极管»场效应管»场效应MOS管FQP5N60C参数PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内
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