irf9540参数,f9540n中文资料

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IRF9540N是P极性MOS管，IRF9540N主要参数为：Vds-漏源极击穿电压：-100 V、Id-连续漏极电流：23A、Rds On-漏源导通电阻：117 mOhms、Vgs - 栅极-源极电压：-20 IRF9540 参数IRF9540 基本参数VDSS-100 V ID@25℃-23 A RDS(on)Max117.0 mΩ IRF9540 其他特性FET极性P型沟道Qg Typ64.7 nC IRF9540 封装与引脚TO-220AB, TO-263, TO-262

≥ω≤ 2. IRF9540N,P沟道，100V,-23A,117mΩ@-10V IRF9540N符号及封装IRF9540N参数IRF9540N(PMOS管)应用电路IRF9540N应用电路，V_GS=V_G-V_S 3. IRF9540,P沟道，10IRF9540中文资料_数据手册_参数IRF9540N HEXFET ® Power MOSFET PD - 91437B Parameter Max.Units I D @ T C = 25°C Continuous Drain Current, V GS @ -10V -23I D @

＞０＜ IRF9540 材料：P-FET 外形：图用途：功率放大，开关，增强型金属氧化物场效应晶体管，极限电压Vm:100 极限电流Im:19 最大漏极电流Idss: 耗散功率P:125 最大输出耗型号：IRF9540 类型：P沟道场效应管耗散功率(PD):150 W 漏极电流(ID):19 A 漏极和源极电压(VDSS):100 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.2 Ω 封装：TO-220AB 更多P沟道场效应管

irf9540中文数据手册.pdf,ï Lead-Free 1 2 3 4 5 6 7 Dimensions are shown in millimeters (inches) 10.54 (.415) 3.78 (.149) - B - 2.87 (.113) 10.29 (.4晶体管类型：P沟道功率金属氧化物（半导体）场效应晶体管漏极电流，Id最大值：23A电压，Vds最大：100V开态电阻，Rds(on):0.117ohm电压@ Rds测量：10V晶体管类型：MOSFE