8n60参数和管脚图,mos管型号对照表

8n60参数和管脚图,mos管型号对照表

品牌：Inchange Semiconductor Company Limited 封装：引脚：功能介紹中文： 功能介紹英文：Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 品牌：Unisonic Technologies 封装：8n60基本参数：1、晶体管极性：n 2、漏极电流，id最大值：7.5a 3、电压，vds最大：600v 4、开态电阻，rds(on):1.2ohm 5、电压@ rds测量：10v 6、电压，vgs最高：30v 7、功耗：48w

▲ TO-220封装的8N60C的引脚排列及电路符号。8N60C为N沟道MOS场效应管，其耐压值为600V,ID为8A,引脚排列如上图所示。判断该管的好坏，只要用数字万用表的二极管档测量其各引脚之间的8N60场效应管，8A 600V,8N60参数资料，8N60引脚图，8N60中文资料规格书PDF 8N60/TO-220F参数封装：点击查看8N60封装有TO-220/TO-220F/TO-252 8N60场效应管参数如下：极性：NPN Drain-So

ˋωˊ 可以看到6Z4是小7脚管。大家购买配套管座的时候一定要主要管脚的尺寸和外形：下面再上一张管座外形照片：6Z4电子管的参数和内部各极结构以及管脚分布如下图：详细了解了管子的基本情8n60场效应管参数8n60是大功率高耐压的场效应管8n60基本参数：1、晶体管极性：N,2、漏极电流，Id最大值：7.5A,3、电压，Vds最大：600V,4、开态电阻，Rds( on ):1.2ohm,5、电压@ R

飞虹8N60产品主要参数产品型号：8N60 漏源极电压：600V 栅源电压：±30V 最大脉冲漏电流：32A 单脉冲雪崩能：230MJ 雪崩电流：8A 储存温度范围：55至150℃ 8N60产品电路图8N60产品外形8N60 产品描述isc N-Channel Mosfet Transistor 文件大小60KB,共2页制造商ISC 官网地址http://iscsemi.cn/ 选型对比8N60概述isc N-Channel Mosfet Transistor 8N60文档预览INCHANGE Semic