4n60f参数,cs4n60f是什么管

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4n60f代换，参数4A 600V，这是场管，不是普通三极管，可以用5N60，6N60，8N60，11N60，等代换。电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(4N60场效应管参数|4N60(TO252,TO220)规格书资料|壹芯微产品类型场效应管产品型号4N60极性NPN 漏源电压600V漏极电流4.0A封装TO-220,TO-220F,TO-220F1,TO-220F2,TO-220F3,TO-251,TO-

JCS4N60FC-220MF产品介绍R N 沟道增强型场效应晶½管N-CHANNEL MOSFET JCS4N60C 主要参数MAIN CHARACTERISTICS 封装Package I D V DSS Typ Rdson (Vgs=10V) Max Qg-typ 用途 高频开关电源2.5Ω(VGS10V)0.700.200.200.800.201.47max2.540.200.200.500.202.760.202.54typUnit:mmTO-220FAbsoluteMaximumRatingsTaSymbolRatingUnitVDS600VDG600VGS30..

型号：JCS4N60F 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):【管壳温度(Tc)=25 ℃】40 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】4 A 漏极和源极电压(VDSS):600 V 漏极和源极通态电阻(RDS(BRF4N60(CS4N60F) N-CHANNEL MOSFET/N 沟道MOS 晶体管用途：用于高功率DC/DC 转换和功率开关。Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching D

Junction and Storage Temperature Range 温度范围：55~+150℃ 4N60场效应管/TO-220封装尺寸：4N60场效应管/TO-220F封装尺寸：4N60场效应管/TO-252封装尺寸：〈烜芯微/XXW〉专业制造4N60F PDF规格书