数据进⾏预处理主要有以下步骤,第⼀部分提及的各种脏数据的处理就在这些步骤中完成:1. 数据清洗 Data Cleansing 2. 数据转换 Data Transformation 3. 数据描述 Data Descri...
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12v直流电机正负极可反接吗 |
直流电源防反接电路,直流电路
之前我发过一篇:直流电源防反接电路设计,可使用二极管、桥式整流管和MOS管设计防反接的电路。本篇博文转载于:EDN电子技术设计,基于MOS管,提出一种可支持直流电池/电源无论正反接均P-MOS管防反接电路的导通条件是栅极和源极之间的电压VGS<0时导通,否则截止,利用P-MOS管防电源反接时,P-MOS管接在高侧,即靠近电源正极一侧,如下所示:N-MOS管防反接电路的导通条件
?^? 下面就说说常用的防接反电路:1、最简单的在电路中串入一只二极管优点:电路简单,成本较低。适用于小电流,对成本要求比较严的产品。缺点:由于二极管的PN结在导通时,存在一个压看下面的电路:上面的防接反电路采用了一个保险丝和一个反向并联的二极管,电源极性正确,电路正常工作时,由于负载的存在电流较小,二极管处于反向阻断状态,保险
一、单二极管防反接电路二极管防反接保护通常情况下直流电源输入防反接保护电路是运用二极管的单向导电性来完结防反接保护。这种接法简略可靠,但当输入大电图中D5为稳压管,防止Vgs电压过大导致MOS被击穿,C1电容的作用是使电路有个软启动的过程,电流通过R3对C1充电,使G极电压逐步建立。04 PMOS管防反接PMOS管防反接与NMOS管原理一样,只
图6- NMOS实现电源防反接电路N-MOS防反接电路分析N-MOS的导通条件时栅极和源极之间的电压VGS>0时导通,否则截止,利用N-MOS防电源反接时,N-MOS接在低侧,即靠近电源负极一侧。当电如上图,通过在电路中并入二极管和串入一个自恢复保险来实现电路的防反接保护功能。如果输入电源正负接反,那么二极管导通,与自恢复保险丝构成回路,由于二极管导通,使得Vin被二极管钳
1、通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护。如下图1: 图1 一只串联二极管保护系统不受反向极性影响,二极管有0.7V的压降。这种接法简单MOS管型防反接保护电路图3利用了MOS管的开关特性,控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路,由于功率MOS管的内阻很小,现在MOSFET Rds(on)已经能够做到毫欧级
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