10n60引脚图和参数,20N60引脚接线图

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10N60参数为：场效应管电压电流：10A,600V 制造商零件编号：10n60 种类：mosfet 沟道类型：n 最大耗散功率(pd): 10n60场效应管参数10N60:N沟道MOSFET功率，10A 600V。10N60是耐压600V,电流10A的N沟道场效应管。13N50是耐压500V,电流13A的N沟道场效应管。只要你的实际应用电压不超过400V,

(=｀′=) 10n60场效应管参数场效应管是一种具有放大作用（电压放大倍数可达30～倍）、输入阻抗高（10KΩ左右），电流小，重量轻等优点。企业名片它广泛应用于各种电子整机电路中作晶体管型号：10N60C 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):156 W 漏极电流(ID):9.5 A 漏极和源极电压(VDSS):600 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.73 Ω 封装：TO-220 更多N沟道场效应管2

型号：10N60 封装：TO-220 特性：大电流MOS管电性参数：10A 600V 芯片材质：GPP 连续二极管正向电流(IS):10A 脉冲二极管正向电流(ISM):40A 二极管正向电压(VSD):1600V 10n60场效应管-主要参数产品型号：KIA10N60H 工作方式：9.5A/600V 漏源极电压：600V 栅源电压：±30V 漏电流连续：9.5A/5.7A 峰值二极管恢复：4.5V/ns 结温：150℃ 贮存温度：55℃

10N60场效应管，10A 600V,10N60参数资料，10N60引脚图，10N60中文资料规格书PDF 10N60/TO-220F参数封装：点击查看10N60封装有TO-220/TO-220F/TO-252 10N60场效应管参数如下：极性：NPN 10N60封装大小：封装：TO-220 总长度：28.57mm 本体长度：15.87mm 宽度：10.66mm 高度：5.0mm 脚间距：2.54mm 10N60特征：10A,600V,RDS(ON)=0.85Ω@VGS=10V/5A 低栅极电荷低Ciss 快速切换