场效应管cs8n65f参数,65n08n场效应管参数

8n65好坏判断 2023-12-09 20:58 363 墨鱼

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8N65场效应管/TO-220封装尺寸：8N65场效应管/TO-220F封装尺寸：8N65场效应管/TO-252封装尺寸：烜芯微(XXW)专业制造二极管，三极管，MOS管，桥堆等，20年，工厂直销省20%,上万家电路电器属性参数值商品目录场效应管(mosfet) 类型- 阈值电压(vgs(th)@id) - 漏源电压(vdss) - 连续漏极电流(id) - 功率(pd) - 导通电阻(rds(on)@vgs,id) - 栅极电荷(qg@vgs) - 输入电容(ciss@vds) -

全新进口道场效应KF8N608A600VCS8N65F代替直拍三极管全新进口N沟道场效应管KF8N60 8A 600V CS8N65F代替可直拍价格：¥1.5 券后：¥1.50 发货地：广东深圳¥1.5元去购买三极管博士1. 参数(1)漏极-源极电流Idss:在栅极短路或接地的情况下，漏极-源极电压Vds=0时，漏极-源极电流的最大值。2)转移导纳gm:指单位电压的栅-源电流变化率，即gm=dId/dVgs。3)漏

(^人^) 型号：CS8N65F 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):38 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】8 A 漏极和源极电压(VDSS):650 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):1Ω 封装：TO-220F 8A650V，N沟道场效应管/MOS管，MOS管代换比较严谨，除了以上参数，还要考虑跨导、频率响应时间、导通电阻…，可以用

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