20n60场效应管参数和三脚分图,场效应管管脚识别

20n60场效应管参数和三脚分图,场效应管管脚识别

芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：55℃~150℃ 备受欢迎的20N60 MOS管ASEMI品牌20N60是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳详解场效应管管脚图接线图、引脚、检测⽅法、注意事项等mos管三个引脚怎么区分G极，不⽤说⽐较好认。S极，不论是p沟道还是N沟道，两根线相交的就是；D极，不论是p沟道还是N

从结构图可发现，N沟道型场效应管的源极和漏极接在N型半导体上，而P沟道型场效应管的源极和漏极则技术参数品牌：FAIRCHILD 型号：FCPF20N60 批号：19+ 封装：SMD 数量：68686 QQ: 3021662972 制造商：ON Semiconductor 产品种类：MOSFET RoHS: 是技术：Si 安装风格：Thro

20N60场效应管参数如下：极性：NPN Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:600V Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±30V Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:20A Continuous DASEMI高压MOS管20N60参数：型号：20N60 漏极-源极电压(VDS):600V 栅源电压(VGS):30V 漏极电流(ID):20A 功耗(PD):239W 储存温度(Tstg):-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):0.4Ω

型号：CS20N60 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):250 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】20 A 漏极和源极电压(VDSS):600 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.45 Ω 封装：TO-ASDM20N60KQ是安森德推出的中低压场效应管(MOS管)产品，可替代台湾微碧和新洁能的NCE2060K,应用在锂电保护项目上。ASDM20N60KQ特征：低栅极电荷增强模式快