SRAM中的每一bit数据存储在由4个场效应管(M1,M2,M3,M4)构成的两个交叉耦合的反相器中。另外两个场效应管(M5,M6)是存储基本单元到用于读写的位线(Bit Line)的控制开关。 具体结构简...
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