FQP15N60C 38.5 15 600 0.65 7.5 10 2~4 250 FQP18N60C 360 18 600 0.4 9 10 2~4 250 FQP20N60C 55.5 20 600 0.19 10 10 3~5 250 FQP55N06C 113 55 60 0.016 27.5 10 2~4 ...
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24nm60n场效应管代换,场效应管可以用igbt代换吗
13n50c场效应管代换
2023-12-01 18:54
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墨鱼
| 13n50c场效应管代换 |
24nm60n场效应管代换,场效应管可以用igbt代换吗
24nm60n场效应管可用20N60c3场效应管代换，二者性能参数相同。场效应管代换24235wirfp460ka3162fan8800driveic单igbtmosfetfet驱动icrhrp860快恢复二极管600v8a30nsto220mur860rhrp1560快恢复二极管600v15ato0220mur1560rhrp8120快恢复二极管1200v8a75wto220r
＼ ＿ ／ 24N60场效应管可以24N60A、24N60C、24N60C3、24N60CFD、24N60D1等带用。25N60，电磁炉用的功率管可以代换16n50e场效应管，可以使用使用18n60场管代替； 不可以。24nm60n场效应管可用20N60c3场效应管代换，二者性能参数相同24nm60场效应管采用的是对称式的立体声双扬声器，它采用的是杜比音效的外放效果，另外它才能是
STMICROELECTRONICS STW24NM60N 功率场效应管，MOSFET, N沟道，17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V查看详情TO-247-3 26周在产2005年¥2.662 数据手册(5) 首页»壹芯微产品中心»三极管»场效应管»场效应MOS管STP24NM60N参数PD最大耗散功率：125WID最大漏源电流：17AV(BR)DSS漏源击穿电压：600VRDS(ON)Ω内阻：0.19ΩVRDS(ON)ld通态
常用场效应管参数及替代FGA25N120AND (IGBT) 1200V/25A//TO3P (电磁炉用) FQA27N25 (MOSFET) 250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 (MOSFET) 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264IRFI系列场效应管参数代换，IRFI系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换带有"-"号的参数为P沟道场效应管，没注明的均为N沟道场效应管.型号Drain-to-S
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