8n60场效应管参数代换,8n60引脚功能及工作原理

8n60场效应管参数代换,8n60引脚功能及工作原理

ˇωˇ 8N60封装有TO-220/TO-220F/TO-252 8N60场效应管参数如下：极性：NPN Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:600V Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±30V Continuous Drain Current 漏极8n60场效应管可以用10n60的场效应管替换。场效应管8n60参数：7.5A，600V，RDS=1.2欧。10n60参数：10A，600V，RDS=0.73欧。场效应晶体管简称场效应管，主要有两种类

8N60可以用9N80等参数接近的管子代换。6、90n08场效应管的代换d4454场效应晶体管的参数替代可以用APM1145代替不纯的。如果FET的规格和型号相同，可以直接更换。不管是什么电子元件，只要是同规格的

FHP8N60的主要封装形式是TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263,FQP8N60场效应管替代型号脚位排列位GDS。这款产品参数：Vgs(±V):30;VTH(V):2-4;ID(A):8;BVdss(V):600。飞虹致力于半导体器场效应管4n60完全可以用6n60或是8n60代换：4N60:N沟道4A,600V,2.5Ω,VGS=10V,33W6N60:N沟道6.2A,600V,1.5Ω,VGS=10V,40W8N60:N沟道7.5A, 600V, 1.2Ω,VGS =

场效应管8N60C的参数是：10A,600V,可以用SSS7N60B,T2SK2545(2SK3562),IRFBC4 一般情况下都用同样型号的进行代换，避免其他的问题。扩展资料场效应长虹等8n60场效应管的参数：8N60是一种常用的MOSFET器件，8N60具有高放大倍数、低功耗、耐高温等优点；其工作频率可达kHz以上，温度范围宽为-40°C~+140°C。1、输入阻抗：8n60的典型值