what,难道她为了收别人的,还早起蹲别人能量?反正我7.30起,那我去试下能不能收到她的,然后试了...
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k13a60d参数 |
13n60参数,20n60c3参数
13n60m2场效应管是一种宽带晶体管(mosfet),也被称为膜片场效应管。它具有高电容(高抗性输出)和低特性漏极(低饱和电压),是理想的电力放大器和耗散功率控制型号:HFP13N60U 类型:N沟道场效应管耗散功率(PD):【管壳温度(Tc)=25 ℃】230 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】14 A 漏极和源极电压(VDSS):600 V 漏极和源极通态电阻(R
13n60参数为ID25 = 13 A VDSS = 600 V RDS(on) max = 0.3 Ω td(on)导通延迟时间:10ns 而:13N50C 参数为13A, 500V, RDS(on) = 0.48Ω @VGS = 10 V td(on)FIR5N65ABPG-T 增强型650V场效应管TO-251 插件高压MOS管东莞市宇芯电子有限公司10年月均发货速度:暂无记录广东东莞市¥2.31 SVF13N60F 13N65 SL士兰一级代理TO220F M
+﹏+ 13N65/TO-220参数封装:点击查看13N65封装有TO-220/TO-220F/TO-252 13N65场效应管参数如下:极性:NPN Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:650V Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±3hfp13n60u三极管的参数如下:硅、500V、2A、55W、RDS(on)≤5.1Ω、带阻尼;12N60C也是功率场效应管,参数:硅、600V、12A、51W、RDS(on)=0.65Ω、带阻尼。
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