80r650p场效应管代换,60r580p场效应管参数

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(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因没看到你说的IRFP640的规格书呀一般MOS管的电压电流内阻是一个规格的话就可以互换，但是互换对系统的性能有多大影响就另当别论。另外还要注意一下内阻温度特性，

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≥＾≤ IRFI系列场效应管参数代换，IRFI系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换带有"-"号的参数为P沟道场效应管，没注明的均为N沟道场效应管.型号Drain-to-S80R650P MMF80R650PTH 场效应管8A 850V 全新实价可以直接拍买价格¥2.50 淘宝价¥2.50 1累计评论0交易成功店铺：深圳市潮信电子科技有限公司卖家：汕头市潮信电子发货地：广东汕头

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SSF65R650S2场效应管超致cool mos参数及功能-骊微电子.pdf,S S F 6 SSF65R650S2/SSP65R650S2/SST65R650S2 5 R 6 650V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Ⅱ 1、常用场效应管参数及替代FQA27N25(MOSFET )250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25(MOSFET )250V/40A/280W/0.051 Q /TO3P IRFP264FQA55N25(MOSFET )250V/55A/310W/0

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?▂? 亲亲，您好为您查询到4n90c场效应管不可以代替ssf65r650s2的亲亲，您好代替4n90c场效应管有：V1-V10用TIP42C V11-V13用TIP41C 功率三极管，最大65W 这些都可场效应管代换常用场效应管（25N120等）参数及代换

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FGA25N120AND（IGBT）1200V/25A//TO3P（电磁炉用）

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FQA27N25（MOSFET）250V/27A/TO3PIRFP254

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FQA40N25（MOSFET）250V/40A