硅管饱和压降是多少,硅管的反向饱和电流比锗管

硅二极管的正向导通压降 2023-11-28 20:51 781 墨鱼

硅二极管的正向导通压降

硅管饱和压降是多少,硅管的反向饱和电流比锗管

解析答：锗管死区电压约为0.1V,硅管死区电压约为0.5V。硅二极管的正向压降约0.6〜0.8 V;锗二极管约0.2〜0.3V。硅管的反向电流比锗管小，硅管约为1uA,锗管可达几百uA。反馈收但此时Uce并不为0，一般最小在0.3V左右，即饱和管压降。至于为什么硅管是0.3V，锗管是0.1V，不必

硅二极管的饱和压降硅二极管在正向偏置时具有一个饱和压降，通常为0.7伏特。这个压降是由于当电子从N型区域进入P型区域时，它们必须克服PN结区域的能障，这需要一定的能量。而集电极电阻越小，饱和集电极电流就越大，饱和压降越大。反之也相反(集电极电阻越大，饱和集电极电流就越小，饱和压降越小)。如果集电极电流5毫安时三极管饱和，9013、9012之类的饱和压降

＋＾＋小功率三极管的饱和压降还和管子的材质有关，分硅和锗两种；NPN型硅管的饱和压降Vce为0.3~0.4V之间，锗管的饱和压降模电书上都是这样定义的，三极管临界饱和时的管压降，临界饱和时Vce=Vbe,即Vbc=0,硅管区饱和压降VCES为0.3V,导通时Vbe约为0.7V,据此，临界饱和时的管压降应该为0

ˋ＾ˊ 三极管饱和导通时的压降硅管0.7V,锗管0.3V。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体三端稳压电路，企业级采购0.3伏，锗管。

⊙﹏⊙‖∣° 0.7伏，硅管。

两种不同材料制成的晶体管，饱和压降不同。

3)二极管导通后两端的正向电压称为正向压降(或管压降),且几乎恒定。硅管的管压降约为0.7V,锗管的管压降约为0.3V。1.3 反向特性1)二极管承受反向电压时，加强了硅三极管的饱和压降是0.5伏。锗三极管的饱和压降是0.1伏。

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