1n60场效应管参数,10n60参数管脚图

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场效应管参数型号封装材料用途参数KIA7N60H TO-263 NMOS 开关电源7A/600V KIA7N65H TO-263 NMOS 开关电源7A/650V KIA840S TO-263 NMOS 安定器8A/500V KIA4N60H TO-262 NMOS 充电器4A/60Junction and Storage Temperature Range 温度范围：55~+150℃ 1N60场效应管/TO-252封装尺寸：1N60场效应管/TO-220封装尺寸：1N60场效应管/TO-220F封装尺寸：〈烜芯微/XXW〉专业制

场效应管参数高压MOSFET场效应管型号沟道VDS (Max) VGS VTH ID (Max) IDM (MAX ) RDS( on) (Max) 封装状态直接替代型号HM1N60 N沟道600V 30V 4V 1.3A 5A 8.5Ω TO-92/TO-251/ TO-252 量产FQP1JST1N60场效应管MOS规格书产品描述产品特点JST1N60为N沟道增强型高压功率MOS场1.0A, 600V, RDS(on) = 12Ω @VGS = 10 V 效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关

˙＾˙ cs10n65f场效应管参数？10N60 :N沟道MOSFET功率，10A 600V。10N60是耐压600V,电流10A的N沟道场效应管。13N50是耐压500V,电流13A的N沟道场效应管。只要你的实场效应管的主要特性参数场效应管的直流参数1.夹断电压Up 在UDS为某一固定值的条件下，使ID等于一个微小电流值(几微安)时，栅极上所加偏压UGS就是夹断电压。它