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mos管代替二极管用的接法 |
mos防反接电路图,mos管防击穿电路
MOS管防反接电路详解图1 图2 mos管防反接电路这是英飞凌给的TLE987X的反接保护电路,12V系统。mos S极是Vbat,D极是负载。Rrp1电阻右边是MCU升压电路得到的电压VCP,在24V左右,当电采用MOS管的防反接保护电路,基本电路如下所示:图中D为防反接MOS的寄生二极管,便于分析原理画出来了。当电池极性未接反时,D正偏导通,Q的GS极由电池正极经过F、R1、D回到电池负极得
电源反接这里MOS管的DS极不可以对调,否则反接的时候D极电压会大于S极使得续流二极管导通。如果使用NMOS,需要将MOS管接到电路下边,如下图所示。电源正常正常情况下,G极为V利用mos管作为开关器件来构成防反接保护电路;该保护电路主要由两个部分组成:一是mos管的反向偏置信号检测及驱动电路;二是mos管的三向漏极电流限制控制电路。1).反向漏电极位检测及
(°ο°) 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大完整电路像这样:二、MOS管(N/P) 优点:占地面积小,成本低,压降小,可过大电流。原理:PMOS、NMOS做反接保护的原理都一样,以PMOS的电路为例。PMOS:- 电源极性正常接入时。Q2的寄生二
2.基于PMOS的防反接电路当希望板内电源的负极与电源入口的负极直接接通时,可以使用PMOS防反接电路,电路图如图8所示,由于寄生二极管的存在,当电源正接时,Vs=Vd-0.7V,此时D7被击穿,如下图左侧为常见的电源正输入端正向串联一个二极管用于防止电源反接,这是利用二极管的单向导通特性(正向导通,反向截止)。图右侧为相应的场效应管防反接电路设计,采用P沟道的场效
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