2sk2611场效应管参数,2sk213场效应管参数

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电子玩家记，您好！你要的K2611场效应管参数如下：2SK2611参数：900V，9A，150W 祝您顺利！！！根据这两个管子的参数比较，可以看出，2645可以代替2611。10n60c能代换K2611 2SK2611参数：900V,9A,150W 10n60c参数：10A,600V。很勉强。祝愉快！场效应管K264

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2SK2611是一款采用TO-3PN晶体管封装的N沟道场效应管，该MOSFET具有相当高的漏源电压，因此可用于各种高压应用或电路当中。2SK2611晶体管的RDS(on) 电阻为1.2欧姆，并且具有9A的连续漏型号：2SK2611 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):【管壳温度(Tc)=25 ℃】150 W 漏极电流(ID):9 A 漏极和源极电压(VDSS):900 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):1.4 Ω 封装：TO-3P

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型号材料管脚用途参数3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PM品牌/型号：TOS日本东芝/2SK2611 沟道类型：N沟道导电方式：耗尽型封装外形：CER-DIP/陶瓷直插用途：A/宽频带放大供应商信息地址：中国广东深圳中国广东深圳市深圳市华

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20181224 210303 2SK N-CHANNELPOWER MOSFET N沟道功率场效应管型号参数查询及代换型号Drain-to- Source Voltage漏极到源极电压Static Drain- Source On-State Resistanc产品型号：2SK2611,生产商：TOSHIBA,简要描述：场效应管参数：9A,900V,由深圳市通络科技电子有限公司代理销售2SK2611库存，采购2SK2611现货供应商，替换2SK2611代替品，免费查看2SK2611.pdf,下载2SK2611