3n150场效应管参数,LYM3N150CG参数

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3N150 材料：P-FET 外形：图用途：一般用途，增强型金属氧化物场效应晶体管，极限电压Vm:30 极限电流Im:200m 最大漏极电流Idss: 耗散功率P:0.4 最大输出耗散功率N沟道MOSFET–KNX42150A漏源击穿电压高达1500V，漏极电流最大值为3A，适用于变频器电源，逆变器，DC-DC转换等。高压MOS管KNX42150的开启延迟典型值为30nS，关断延迟时间典型值为45n

STMICROELECTRONICS STFW3N150 功率场效应管，MOSFET, N沟道，2.5 A, 1.5 kV, 6 ohm, 10 V, 4 V查看详情TO-3-3 16周在产2005年¥14.455 数据手册(11) 规格参数代替型号(2) 常用功率场效应管参数大全

3N150场效应管/TO-220封装尺寸：3N150场效应管/TO-220F封装尺寸：3N150场效应管/TO-252封装尺寸：〈烜芯微/XXW〉专业制造二极管，三极管，MOS管，桥堆等，20年，工厂直销省20%,上万家电型号：STP3N150 类型：N沟道场效应管漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】2.5 A 漏极和源极电压(VDSS):1500 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):9Ω 总耗散功率(Ptot):140 W 封装：

常用功率场效应管参数大全(word版可编辑修改)编辑整理：尊敬的读者朋友们：这里是精品文档编辑中心，本文档内容是由我和我的同事精心编辑整理后发布的，发布之前我们对文中内3n150场效应管主要参数是030V，200mA。3n150场效应管的代换型号是2sc3320场效应管，它俩能互相兼容。参数功率一样，性能相同是可以代换的两款场效应管。三极管150n

ST进口原装STFW3N150 N沟道场效应管参数信息简介STFW3N150的PDF规格书资料场效应管型号：STFW3N150 --- 产品参数--- 品牌制造商STMicroelectronics 封装TO-3PF-3 Vds漏源极击穿电压1.5 kV Id-连续漏极电流2.5A Rds On9 Ohms Vgs- 20 V, + 20 V 工作