65n08n场效应管参数,65R360场效应管多少N

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绝缘栅型场效应管的直流输入电阻比结型场效应管大两个数量级以上。结型场效应管的直流输入电阻为1 X 10 8Ω,而绝缘栅型场效应管的直流输入电阻为1 X 10 12Ω 以上。5. 漏源击穿电立创商城提供(CRMICRO(华润微))的(场效应管(MOSFET))SKST065N08N中文资料，PDF数据手册，引脚图，封装规格，价格行情和库存等信息，采购SKST065N08N上立创商城。

＞＾＜ 型号：SKSS055N08N 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):【管壳温度(Tc)=25 ℃】174 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】120 A 漏极和源极电压(VDSS):85 V 漏极和源极通态电阻所以为了加强电动车的质量，选用一个好的MOS就非常有必要了，而飞虹生产的这款FHP100N08高压MOS管就可替代STP75NF75高压MOS管飞虹的这款FHP100N08高压MOS管为N

常用场效应管参数表(续2) 厂方xing 型号v111(V) pdpch(W) 家式(A) IRF333 IR N 350 4.5 75 IRF340 IR N 400 10 125 IRF341 IR N 350 10 125 IRF342 IR N 400 8.0 125 IR百度爱采购为您找到31家最新的65n08场效应管产品的详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息，您还可以免费查询、发布询价信息等。

1. 参数(1)漏极-源极电流Idss:在栅极短路或接地的情况下，漏极-源极电压Vds=0时，漏极-源极电流的最大值。2)转移导纳gm:指单位电压的栅-源电流变化率，即gm=dId/dVgs。3)漏这款产品参数：Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):80A;BVdss(V):60V。最大脉冲漏极电流(IDM ):320(A);静态导通电阻(typ):VGS=10V则为6.2mΩ、VGS=4.5V则为7.5mΩ;反向传输电容：240pF。