刷新是指给储存数据的电容重新充电,因为sram是用晶体管存数据所以不用刷新
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SRAM和DRAM |
sram和dram的主要区别,sram比dram耗电多
A DRAM比SRAM更小,更便宜,更容易构建。但是,它通常使用起来更慢,更复杂;它需要更精确的时序和额外的刷新电路。因此,SRAM通常是业余爱好者的最佳选择。这两种类若存储器有4000个存储单元,则SRAM需要24000个MOS管,而DRAM则需要4000个MOS管,由此得出SRAM的芯片引脚自然就多,功耗大,价格贵,速度快,因为MOS管多,散热大,所以集成度低。
>▽< SRAM一般采用“字结构”存储矩阵:每个存储单元存放多位(4、8、16等)速度快(<5ns),不需刷新,外围电路比较简单,但集成度低(存储容量小,约1Mbit/片),功耗大。在PC机中,SRAM被广容量不同:SRAM 的容量通常比DRAM 小,因为SRAM 每个存储单元都包含较多的电路元件,而DRAM 则每个存储单元只包含一个电容。价格不同:由于SRAM 的生产成本较高,所以SRAM 的价
下面将详细介绍SRAM和DRAM之间的区别。工作原理:SRAM:SRAM是一种基于触发器的存储器,使用稳定的存储电路来存储和保持数据。每个存储单元由一个存储器单元和控制电路组成,其中存储SRAM 和DRAM 之间的主要区别SRAM是访问时间短的片上存储器,DRAM是访问时间长的片外存储器。因此SRAM 比DRAM 快。DRAM 的存储容量更大,而SRAM 的尺寸更小。SRAM很贵,而DRAM
SRAM:读写速度快,生产成本高,多用于容量较小的高速缓冲存储器。DRAM:读写速度较慢,集成度高,生产成本低,多用于容量较大的主存储器。静态存储器与动态存储器成本对比:SRAM成本比较高(6个场效应管组成一个存储单元),DRAM成本较低(1个场效应管加一个电容)。另外,随着DDR~DDR5的高速发展,SDRAM的发展更快,接口速率更高,生态更好,工艺更先进。
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标签: sram比dram耗电多
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