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液晶电源常用场用场效应K13A60DK13A60可直接替换K3797场效应管液晶电源常用场效应管K13A60D K13A60 可直接替换K3797 13A600V 价格:¥0.7 券后:¥0.70 发货地:广东汕头¥0.7元型号:TK13A60D 类型:N沟道场效应管耗散功率(PD):【管壳温度(Tc)=25 ℃】50 W 漏极电流(ID):13 A 漏极和源极电压(VDSS):600 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.43 Ω 封装:TO-

•热参数:包括热阻(Rθ)和最大结温(Tj(max))等。这些参数描述了FET在高温工作条件下的热特性和限制。•其他参数:还有许多其他参数,如最大漏源电压(VDS(max))、最大栅极源极首页»壹芯微产品中心»三极管»场效应管»场效应MOS管TK13A60D参数PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:13AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.43ΩVRDS(ON)ld通态电

K13A60D技术资料参数、参数引脚图、现货供应价格、库存现货价格由IC资料网提供,这里有K13A60D批发TOSHIBA批量订购采购,东芝技术资料。从参数中保障了在高压H桥PWM马达驱动中的使用。另外FHF8N60的主要封装形式是TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263,脚位排列位GDS。这款产品参数:Vgs(±V):30;VTH(V):2-4;ID(A):8;BVdss(V)

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