硅管和锗管的饱和压降,硅二极管导通电压比锗

硅管和锗管的饱和压降,硅二极管导通电压比锗

＞ω＜ 解析答：锗管死区电压约为0.1V,硅管死区电压约为0.5V。硅二极管的正向压降约0.6〜0.8 V;锗二极管约0.2〜0.3V。硅管的反向电流比锗管小，硅管约为1uA,锗管可达几百uA。反馈收考题锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V,硅二极管是()。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V 查看答案考题晶体二极管特性为()导通，)截止，导通后硅管压降为(),锗管压

三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大但此时Uce并不为0，一般最小在0.3V左右，即饱和管压降。至于为什么硅管是0.3V，锗管是0.1V，不必

＞﹏＜ 硅管和锗管的区别判断一个电路中的三极管是工作于放大状态还是饱和状态很简单，你只要用电压表测量三极管集电极与发射极之间的压降即可。这里以常用的NPN型硅三极管为例，你这在室温下，硅管的Vth约为0.5V,锗管的Vth约为0.1V。当流过二极管的电流I比较大时，二极管两端的电压几乎维持恒定，硅管约为0.6～0.8V(通常取0.7V),锗管约为0.2～0.3V(通常取0.2V)。

模电书上都是这样定义的，三极管临界饱和时的管压降，临界饱和时Vce=Vbe,即Vbc=0,硅管区饱和压降VCES为0.3V,导通时Vbe约为0.7V,据此，临界饱和时的管压降应该为018、硅管的饱和压降为(0、3V),锗管饱和压降为(0、1V)。19、半导体中，自由电子带(负)电，空穴带(正)电。20、晶体管的穿透电流ICEO随温度的升高而(增大),由于硅晶体管的穿透电

1.4.1 按材料：硅管(导通压降0.7V)、锗管(导通压降0.3V) 1.4.2 按结构：NPN、PNP 1.4.3 按功能：开关管、光敏管、达林顿管、功率管1.4.4 按频率：低频(小于3 MHZ)、中频(3--30MHZ)、高硅三极管的饱和压降是0.5伏。锗三极管的饱和压降是0.1伏。