50n60参数,40n60

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急购2022秋原装进口拆机G50T60 IGW50N60T IGBT管50A600V 参数全测包上机投标拆机询价单编号：ZGC6403***082 询价单有效期：至2022***入驻工厂可见联系人及电话：孙先生***入驻工厂可见订单1、不排除原理图画错了，有时候工程师懒，随便复制粘贴2、按照资料来判断50N60是N-MOS 3、从原理图以及N-MOS的用法

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∪▂∪ 顶/踩数：0/0 收藏人数：0 评论次数：0 文档热度：文档分类：管理/人力资源--市场营销文档标签：50N60场效应管资料系统标签：场效应管unisonicdiodemosfetgatQW-R502-088,A 50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50

G50N60RUFDIGBT50A600V大功率三极管G50N60全新新场效应三极管G50N60RUFD IGBT管50A600V大功率三极管G50N60 全新场效应管价格：¥7 券后：¥7.00 包邮发货地：广东深圳¥7元型号：IGB50N60T(G50T60) 类型：绝缘栅双极晶体管(IGBT) 总耗散功率(Ptot):333 W 集电极电流(IC):【集电极温度(Tc)=25 ℃】90 A 集电极与发射极电压(VCES):600 V 集电极与发射

?﹏? 我们来了解一下50N60场效应管的基本参数。该管子的最大漏极电压可达600V,最大漏极电流为50A,而且具有低导通电阻，典型值为0.041Ω。此外，50N60场效应管的输入电容相对较低，典IGW75N60T 600V低饱和压降型IGBT优质高速单管参数说明品牌：英飞凌INFINEON 型号：G30T60 G50T60 G75T60 IGW30N60T IGW50N60T IGW75N60T 第三代IGBT单管特点