20n60c管脚图,20n60简单光控电路

20n60c管脚图,20n60简单光控电路

East. 关注电路图三个开关都闭合，帮忙梳理一下两条电路吧2022-11-15 共10+ 条评论登录查看更多评论​20N60场效应管MOS管20A 600V 开关电源电动车充电器易损件适合大功率充电器大功率电源48v 60v 20AH 以上正面管脚顺序依次为栅极G 漏极D 源极S 品牌：I

?▂? SPP20N60C3XKSA1中文参数制造商：InfineonQg-栅极电荷：87 nC 产品种类：MOSFET最小工作温度： 55 C 技术：Si最大工作温度： 150 C 安装风格：Through HolePd-功率耗散：208 W 封装/ 箱体：TO-220-3通道INFINEON SPP20N60C3.. 功率场效应管，MOSFET, N沟道，20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V查看详情TO-220-3 10周2003年¥5.772 数据手册(10) 规格参数代替型号(2)

ˋ＾ˊ 视频接口保护放电管BS0060N-C/BS0050N-C 视频接口保护放电管BS0060N-C SiBar半导体浪涌保护元件(LT电子) 2009-11-20 08:49:57 FGH60N60SFDTU 600V、60A 场截止IGBT 电子发烧友网HGT1S20N60C3S TO-263AB G20N60C3 NOTE:When ordering, use the entire part number. Add the suffix 9A to obtain the TO-263AB variant in the tape and reel, i.e.,HGT1S2

20N60场效应管/TO-220F封装尺寸：20N60场效应管/TO-252封装尺寸：〈烜芯微/XXW〉专业制造二极管，三极管，MOS管，桥堆等，20年，工厂直销省20%,上万家电路电器生产企业选用，专业的工程师20n60c场效应管参数？PD最大耗散功率：55.5WID最大漏源电流：20AV(BR)DSS漏源击穿电压：600VRDS(ON)Ω内阻：0.19ΩVRDS(ON)ld通态电流：10AVRDS(ON)栅极电压：10VVGS