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场效应管d417参数,场效应管d4185参数

场效应管D4184参数 2023-12-08 10:22 333 墨鱼
场效应管D4184参数

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∪▽∪ d417场效应管参数是PD最大耗散功率:50W;ID最大漏源电流:25A;V(BR)DSS漏源击穿电压:30V;RDS(ON)Ω内阻:0.034Ω;VRDS(ON)ld通态电流:20A;VRDS(ON)栅极亲,您好,Cs8N50用D417代换,s8n50参数及代换是15V超高功率智能功放和对称式双1216线性扬声器,大于或等于该参数的场效应管能转换。cs8n50密闭封装,易于并联,采

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部分场效应管型号用途参数型号材料管脚用途参数3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A4输入失调电压与制造工艺有一定关系,其中双极型工艺(即上述的标准硅工艺)的输入失调电压在±1~10mV之间;采用场效应管做输入级的,输入失调电压会更大一些。对于精密运放,输入失调电

"供应场效应管大电流AOD417,D417大量批发,全系列MOS管"的大漏极电流为5,材料是N-FET硅N沟道,种类为绝缘栅(MOSFET),型号是AOD417,封装外形为SMD(SO)/表面封装,品牌是万代,用途不同Vds 时的输入电容(Ciss):920pF @ 15V 功率- 最大值:2.5W 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) Pre One

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